SIT транзисторы производятся с каналами

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ только p-типа

▢ только n-типа

▢ n-типа

▢ p-типа

Ассиметричный (обычный) тиристор содержит

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ сварочных аппаратах

◯ робототехнике

◯ печах СВЧ

◯ линиях электропередач

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ полевого транзистора с горизонтальным каналом

▢ униполярного транзистора

▢ полевого транзистора с вертикальным каналом

▢ биполярного транзистора

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ УКД – устройство контроля и диагностики

◯ КА – блок коммутационной аппаратуры

◯ ФИУ – формирователь импульсов управления

◯ БОИ – блок обработки информации

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Быстродействие IGBT транзистора

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ выше быстродействия полевых транзисторов

▢ ниже быстродействия полевых транзисторов

▢ выше быстродействия биполярных транзисторов

▢ ниже быстродействия биполярных транзисторов

В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ малой площади коллекторного p-n-перехода

▢ большой толщины базы

▢ малой толщины базы

▢ большой площади коллекторного p-n-перехода

В активном режиме работы биполярного транзистора

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ выходной ток обратно пропорционален входному току

◯ выходной ток равен входному току

◯ выходной ток не зависит от входного тока

◯ выходной ток прямо пропорционален входному току

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ в шесть раз превышает частоты питающей сети

◯ в три раза меньше частоты питающей сети

◯ равна частоте питающей сети

◯ в три раза превышает частоту питающей сети

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ коллектор-база - в обратном направлении

▢ эмиттер-база - в прямом направлении

▢ коллектор-база - в прямом направлении

▢ эмиттер-база - в обратном направлении

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

◯ индуктивном

◯ инверсном

◯ отсечки

◯ импульсном

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ DМОП - структуры

▢ МОП - структуры

▢ МДП - структуры

▢ VМОП – структуры

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ в рабочей точке

▢ в инверсной точке

▢ в точке отсечки

▢ в точке насыщения

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ исток

◯ подложку

◯ затвор

◯ сток

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня

▢ открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

▢ закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня

▢ закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ полевые транзисторы с изолированным затвором

▢ биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы

▢ силовые биполярные транзисторы

▢ СИТ - транзисторы

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ в три раза превышает частоту питающей сети

◯ равна частоте питающей сети

◯ в три раза меньше частоты питающей среды

◯ в шесть раз превышает частоту питающей среды

В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ генератора пилообразного напряжения (ГПН)

▢ формирователя импульсов сигналов (ФИУ)

▢ компаратора (К)

▢ устройства синхронизации (С)

В основе биполярного транзистора лежит

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ трехслойная полупроводниковая структура

◯ четырехслойная полупроводниковая структура

◯ однослойная полупроводниковая структура

◯ двухслойная полупроводниковая структура

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ малое потребление по цепи управления

◯ не полное управление

◯ полное управление

◯ высокое быстродействие

В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ биполярные транзисторы

▢ силовые МОП-транзисторы

▢ биполярные транзисторы с изолированным затвором

▢ асинхронные тиристоры

В режиме лавинного пробоя силового диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения

◯ резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения

◯ обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения

◯ обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения

В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить

В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ замкнутым ключом

◯ источником тока коллектора, управляемого током базы

◯ источником тока эмиттера, управляемого током базы

◯ разомкнутым ключом

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ высоковольтный быстродействующий МДП-транзистор

◯ высоковольтный быстродействующий биполярный транзистор

◯ низковольтный быстродействующий МДП-транзистор

◯ низковольтный быстродействующий биполярный транзистор

В резонансных силовых преобразователях

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ паразитные элементы не являются составной частью резонансного LC-контура

▢ коммутация силовых ключей выполняется либо при положительном напряжении, либо при отрицательном токе

▢ коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе

▢ паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности

▢ прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока

▢ обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности

▢ обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля

▢ выключение осуществляется сигналом управления

▢ включение осуществляется сигналом управления

▢ выключение – при спаде тока через прибор до нуля

В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ электрического поля, перпендикулярного направлению тока

◯ электрического поля, параллельного направлению тока

◯ тока, перпендикулярного направлению напряжения

◯ тока, параллельного направлению напряжения

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ одинаковые свойства, но разные геометрические размеры

◯ различные свойства и геометрические размеры

◯ одинаковые свойства и геометрические размеры

◯ различные свойства, но одинаковые геометрические размеры

В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ наличие длительных многократных перегрузок по току

◯ индуктивный характер нагрузки

◯ наличие противонаправленной ЭДС вращения

◯ наличие кратковременных многократных перегрузок по току

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора

◯ в два раза превышает выходную частоту инвертора

◯ в четыре раза превышает выходную частоту инвертора

◯ в два раза меньшей выходной частоты инвертора

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)

▢ две системы управления инверторным режимом (СУИР)

▢ три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)

▢ три системы управления инверторным режимом (СУИР)

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ n-p-n-типа

▢ p-n-p-типа

▢ p-n-p-n-типа

▢ n-p-n-p-типа

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ база

◯ коллектор

◯ подложка

◯ эмиттер

В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ база

◯ коллектор

◯ подложка

◯ эмиттер

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ запускает таймер для отсчета времени, включения рестарта элементов системы

◯ формирует сигнал индикации короткого замыкания

◯ запрещает выработку драйвером импульсов управления силовым ключом

◯ управляет работой компаратора

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ фазосдвигающее устройство (ФСУ)

▢ нуль-орган (НО)

▢ генератор пилообразного напряжения (ГПН)

▢ компаратор (К)

В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ увеличения мощности, потребляемой ФИУ

◯ повышения частотных характеристик ФИУ

◯ снижения частотных характеристик ФИУ

◯ снижения мощности, потребляемой ФИУ

В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,

В транзисторе IGBT сочетается

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ изолированное питание каждого драйвера относительно общей точки силовой схемы

◯ расположение драйвера как можно ближе к входной цепи силового ключа

◯ увеличение площади соединительных контуров

◯ изолированный источник для каждого силового ключа

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

Величина заряда обратного восстановления силового диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала

◯ прямо пропорциональна частоте коммутации

◯ обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления

◯ прямо пропорциональна энергии обратного восстановления

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ до 200 нс

◯ до 10 мкс

◯ до 100 нс

◯ до 100 мкс

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ от 25 до 100 мкс

◯ от 1 до 5 мкс

◯ от 25 до 100 нс

◯ от 1 до 5 нс

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ порядка 0,1 А

◯ порядка 0,5 А

◯ порядка 0,3 А

◯ порядка 0,2 А

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ от 10 до 20 А

◯ от 20 до 40 мА

◯ от 10 до 20 мА

◯ от 20 до 40 А

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ продольным электрическим полем, а не током

◯ продольным током, а не электрическим полем

◯ поперечным током, а не электрическим полем

◯ поперечным электрическим полем, а не током

Высокой температурной устойчивостью не обладает

Главным достижением развития современных силовых ключей является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты

◯ объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты

◯ объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты

◯ объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ напряжение между базой и коллектором равно нулю

◯ напряжение между базой и эмиттером равно нулю

◯ напряжение между базой и эмиттером меньше нуля

◯ напряжение между базой и коллектором

Динамическими параметрами силового диода являются

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ среднее значение прямого тока

▢ пороговое напряжение

▢ время нарастания прямого тока

▢ время восстановления обратного напряжения

Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ высокую помехозащищенность передачи

▢ возможность передачи непрерывных сигналов информации

▢ высокий коэффициент передачи тока

▢ высокую температурную стабильность параметров

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ высокими значениями обратного напряжения и прямого тока

◯ высокими значениями прямого напряжения и прямого тока

◯ низкими значениями обратного напряжения и прямого тока

◯ низкими значениями обратного напряжения и обратного тока

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ магнитные выключатели

◯ плавкие предохранители общего назначения

◯ быстродействующие плавкие предохранители

◯ биметаллические выключатели

Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ раздельная передача напряжения и формы управляющего сигнала

▢ совместная передача энергии и формы управляющего сигнала

▢ раздельная передача энергии и информационного сигнала

▢ совместная передача тока и информационного сигнала

Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ внутренние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя

◯ внутренние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя

◯ внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя

◯ внешние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют

Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются

Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ последовательно включают демпфирующую RCD - цепь

◯ параллельно включают демпфирующую RLC - цепь

◯ параллельно включают демпфирующую RCD - цепь

◯ последовательно включают демпфирующую RLC - цепь

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам

◯ перекрестно к противоположным монтажным шинам

◯ схемы последовательно с силовым ключом

◯ параллельно силовому ключу

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости

▢ быстродействующий диод

▢ низкочастотный диод

▢ шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ коллектор-база - в обратном направлении

▢ эмиттер-база - в обратном направлении

▢ коллектор-база - в прямом направлении

▢ эмиттер-база - в прямом направлении

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ коллектор-база - в обратном направлении

▢ эмиттер-база - в обратном направлении

▢ коллектор-база - в прямом направлении

▢ эмиттер-база - в прямом направлении

Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются

Для реализации идеального управляющего импульса необходимо

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ симисторы (триаки)

▢ однооперационные тиристоры

▢ МОП-транзисторы

▢ биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ повышают уровень индуктивной связи между проводниками

▢ гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей

▢ уменьшают индуктивную связь между проводниками

▢ повышают уровень емкостной связи между цепями

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером

◯ коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором

◯ затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером

◯ затвором и коллектором при заданном напряжении между коллектором и эмиттером

Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ скрученных витых пар проводников

◯ многожильных проводов

◯ одножильных проводов

◯ проводников в виде металлических пластин

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ используют сигнальные проводники в виде витых пар

◯ удаляют сигнальные проводники дальше от силовых шин

◯ приближают сигнальные проводники к силовым шинам

◯ экранируют сигнальные проводники

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ произведению фазности на число периодов выпрямителя

◯ числу периодов выпрямителя

◯ фазности выпрямителя

◯ сумме фазности и числа периодов выпрямителя

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ свободное протекание коллекторного тока через насыщенный транзистор с минимальными потерями

◯ гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока базы

◯ минимальный ток утечки через закрытый транзистор в режиме отсечки

◯ гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ уменьшается до нуля

◯ возрастает

◯ не изменяется вообще

◯ вначале уменьшается, а потом увеличивается

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1

◯ не изменяется

◯ увеличивается до 1 и потом остается неизменным

◯ вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ напряжение отсечки равно нулю

▢ напряжение отсечки имеет отрицательное значение

▢ при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии

▢ при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ улучшаются частотные и динамические свойства прибора

▢ снижается мощность потерь

▢ ухудшаются частотные и динамические свойства прибора

▢ возрастает мощность потерь

Запираемый тиристор GTO

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде

◯ напряжение на аноде равно напряжению на катоде

◯ напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде

◯ напряжения на аноде и катоде отсутствуют

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

К аппаратам высокого напряжения не относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ выключатели высокого напряжения

◯ аппараты автоматического регулирования

◯ токоограничивающие реакторы

◯ шунтирующие реакторы

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ выключатели высокого напряжения

◯ шунтирующие реакторы

◯ токоограничивающие реакторы

◯ ограничители перенапряжений

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ разъединители и отделители

◯ ограничители перенапряжений

◯ шунтирующие реакторы

◯ разделительные трансформаторы

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ токоограничивающие реакторы

◯ разъединителя и отделители

◯ разделительные трансформаторы

◯ шунтирующие реакторы

К аппаратам низкого напряжения не относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ аппараты управления и защиты

◯ аппараты автоматического регулирования

◯ шунтирующие реакторы

◯ аппараты автоматики

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ режим подачи отрицательного напряжения для обратного смещения эмиттерного перехода

◯ режим формирования фиксированного отрицательного тока базы

◯ режим подачи отрицательного напряжения для прямого смещения эмиттерного перехода

◯ режим ограничения скорости нарастания запирающего тока базы

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ время включения тиристора

◯ время запаздывания обратного напряжения

◯ время нарастания

◯ время установления

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ время нарастания

▢ время запаздывания обратного напряжения

▢ время выключения

▢ время установления

К недостаткам МОП-транзисторов относится

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ малое значение входной емкости

▢ большое значение входной емкости

▢ повышенное сопротивление в проводящем состоянии

▢ очень низкое сопротивление в проводящем состоянии

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ низкий коэффициент передачи тока

◯ температурная нестабильность параметров

◯ большая задержка передачи сигналов

◯ потенциальная развязки информационного сигнала

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ транзисторы со статической индукцией

▢ биполярные транзисторы с изолированным затвором

▢ симистор

▢ полевой тиристор МСТ

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ тепловое сопротивление переход-корпус

▢ энергия потерь при включении

▢ крутизна передаточной характеристики

▢ время включения транзистора

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ ток отсечки через запертый транзистор

◯ тепловое сопротивление переход - окружающая среда

◯ выходная емкость

◯ время нарастания тока стока

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ симметричный режим работы трансформатора

▢ малое количество силовых ключей

▢ простота реализации схем управления

▢ интеллектуальная система управления

К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии

◯ временные параметры переключения

◯ рабочая температура структуры и допустимая энергия потерь

◯ обеспечение низкого прямого падения напряжения в открытом состоянии

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ высокий уровень собственных шумов

▢ высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)

▢ отсутствие вторичного пробоя

▢ низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ высокий уровень выходного тока драйвера

▢ низкая рассеиваемая мощность в драйвере

▢ ограниченный выходной ток драйвера

▢ оптимизация разводки печатной платы

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ режим напряжения с ограничением средней нагрузки по току

◯ режим напряжения с межимпульсным ограничением нагрузки по току

◯ токовый режим с выключением по тактовому сигналу

◯ гистерезисный токовый режим

К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ время спада тока коллектора

▢ максимально допустимый ток коллектора

▢ ток обратного смещенного коллекторного перехода

▢ время нарастания тока коллектора

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ энергия потерь при выключении

▢ максимально допустимое напряжение затвор-исток

▢ выходная емкость

▢ максимально допустимый ток стока

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ входная емкость

▢ энергия потерь при включении

▢ максимально допустимый ток стока

▢ крутизна передаточной характеристики

К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение

▢ для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В

▢ для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В

▢ для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)

▢ ударный ток

▢ напряжение лавинного пробоя

▢ напряжение переключения тиристора

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)

◯ энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения

◯ напряжение лавинного пробоя

◯ ударный ток

К параметрам силовых диодов не относятся

К предельно допустимым параметрам силового диода относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ импульсное обратное напряжение

◯ напряжение пробоя

◯ время нарастания прямого тока

◯ динамическое сопротивление

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ зависимость амплитуды импульса управления от скважности

▢ независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала

▢ зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала

▢ независимость амплитуды импульса управления от скважности

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ полевой тиристор МСТ

▢ оптотиристор

▢ фототиристор

▢ тиристор GTC

К статическим параметрам силового диода не относится

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение

▢ преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение

▢ формирование сигналов управления силовой частью

▢ осуществление оперативного обмена с внешней средой

Как и МОП-транзистор СИТ транзистор

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ имеет горизонтальную структуру

▢ является многоканальным

▢ имеет вертикальную структуру

▢ является одноканальным

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ с общей базой (ОБ)

◯ с общим истоком (ОИ)

◯ с общей подложкой (ОП)

◯ с общим стоком (ОС)

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ импульсные

◯ цифровые

◯ непрерывные

◯ релейные

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

▢ тиристоры (SCR)

▢ биполярные и МОП-транзисторы

▢ симисторы (триаки)

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ модули на полевых транзисторах (IGBT, MCT)

◯ биполярные и МОП-транзисторы

◯ мощные полевые транзисторы (MOSFET)

◯ запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)

◯ транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)

◯ МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)

◯ МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ силовые ключи с встроенными системами защиты

◯ силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления

◯ силовые ключи с внешними системами защиты и управления

◯ силовые интеллектуальные модули

Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ с неуправляющим p-n-переходом

▢ с проводимым затвором

▢ с управляющим p-n-переходом

▢ с изолированным затвором

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ с проводным каналом

◯ со встроенным каналом

◯ с индуцированным каналом

◯ с проецированным каналом

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ 6 В

◯ 600 В

◯ 60 В

◯ 6000 В

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

Качество МДП - структуры тем выше, чем

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ Качество МДП - структуры тем выше, чем

▢ больше паразитная емкость

▢ ниже крутизна передаточной характеристики

▢ выше крутизна передаточной характеристики

▢ меньше паразитная емкость

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ одновременно переходят в режим отсечки при отсутствии управляющего сигнала

▢ одновременно переходят в режим насыщения при поступлении управляющего импульса

▢ при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки

▢ при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки

Конструктивно симистор представляет собой

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ объединение двух встречновключенных тиристоров

◯ объединение трех встречновключенных тиристоров

◯ объединение двух прямовключенных тиристоров

◯ объединение трех прямовключенных транзисторов

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ прямо пропорционален периоду следования импульсов

▢ прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа

▢ обратно пропорционален периоду следования импульсов

▢ обратно пропорционален длительности открытого состояния ключа

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ току коллектора в граничном режиме

◯ току базы в граничном режиме

◯ току базы в насыщенном режиме

◯ току коллектора в насыщенном режиме

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

◯ произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

◯ разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

◯ отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ один генератор пилообразного напряжения

▢ один синхронизатор

▢ три синхронизатора

▢ три генератора пилообразного напряжения

Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ три p-n-перехода

▢ два p-n-перехода

▢ один p-n-переход

▢ четыре p-n-перехода

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации

◯ произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала

◯ произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации

◯ произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт

◯ источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт

◯ источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт

◯ источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ автоэлектронике

◯ сварочных аппаратах

◯ аудиотехнике

◯ видеотехнике

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ системы бесперебойного питания

▢ статические компенсаторы

▢ управляемые выпрямители тока

▢ преобразователи переменного напряжения

Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ подключение внешних дополнительных защитных устройств

◯ повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа

◯ определение момента перегрузки и подключение системы защиты

◯ уменьшение влияния паразитных элементов монтажа

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ фиксированным отрицательным током базы

◯ отрицательным напряжением обратного смещения

◯ ограничением скорости нарастания запирающего тока

◯ с форсирующей скоростью нарастания запирающего тока

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ с управляющим p-n-переходом

◯ со встроенным каналом

◯ с проводным каналом

◯ с индуцированным каналом

Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const

◯ период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var

◯ период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var

◯ период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const

Не существует следующего вида модуляций

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ низкое быстродействие переключения

▢ низкий уровень коммуникационных потерь

▢ высокий уровень коммуникационных потерь

▢ высокое быстродействие переключения

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов

◯ полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов

◯ трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль

◯ сравнивающего устройства в интегральном исполнении

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя

◯ больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя

◯ меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя

◯ равно выходному напряжению выпрямителя

Оптотиристор – это

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ тиристор со встроенным в него светоизлучателем

◯ фототиристор со встроенным в него светоприемником

◯ тиристор со встроенным в него светоприемником

◯ фототиристор со встроенным в него светоизлучателем

Основная функция силового диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ усиление переменного сигнала

◯ выпрямление переменного сигнала

◯ интегрирование переменного сигнала

◯ дифференцирование переменного сигнала

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ высокое входное сопротивление

◯ меньшее напряжение в открытом состоянии

◯ высокие частотные характеристики

◯ низкий ток коммутации

Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ частоте питающего напряжения

▢ форме сигнала управления

▢ форме питающего напряжения

▢ мощности сигнала управления

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ быстрое включение

◯ быстрое выключение

◯ медленное выключение

◯ низкая скорость нарастания запирающего тока

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ характер подключенной нагрузки

◯ коммутационные процессы

◯ воздействие питающей сети

◯ короткое замыкание цепи нагрузки

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ низкая частота коммутации

▢ зависимость частоты коммутации от входного напряжения

▢ зависимость частоты коммутации от тока нагрузки

▢ низкие динамические характеристики

Особенностью МОП-транзисторов является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ низкое входное сопротивление и высокое быстродействие

◯ низкое входное сопротивление и низкое быстродействие

◯ высокое входное сопротивление и высокое быстродействие

◯ высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ предельное обратное напряжение более 100 В

◯ низкую инерционность прибора

◯ время обратного восстановления не более 0,3 мкс

◯ падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ повреждение силового ключа

◯ накопление зарядов в ключевых компонентах схемы

◯ влияние паразитных элементов схемы и монтажа

◯ рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором

◯ затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером

◯ коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером

◯ коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором

Плоскостные диоды

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ имеют малую площадь p-n-перехода

▢ используются для выпрямления малых токов

▢ используются для выпрямления больших токов

▢ имеют большую площадь p-n-перехода

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ биполярный транзистор с изолированным затвором

◯ полевой транзистор с изолированным затвором

◯ асинхронный тиристор

◯ биполярный транзистор

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ при положительном значении напряжения

◯ при нулевом значении тока

◯ при отрицательном значении тока

◯ при нулевом значении напряжения

Полевой транзистор в линейном режиме используется как

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ источник тока, управляемый напряжением на затворе

◯ сопротивление, управляемое напряжением на затворе

◯ источник тока, управляемый током на затворе

◯ сопротивление, управляемое током на затворе

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ с общим затвором (ОЗ)

◯ с общим стоком (ОС)

◯ с общим истоком (ОИ)

◯ с общей базой (ОБ)

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера

▢ прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа

▢ обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера

▢ обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа

Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ только в выпрямительном режиме

▢ только в инверторном режиме

▢ в инверторном режиме

▢ в выпрямительном режиме

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ обратноходовые

◯ импульсно-ходовые

◯ прямоходовые

◯ интервально-ходовые

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ обратноходовые

◯ импульсно-ходовые

◯ прямоходовые

◯ интервально-ходовые

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ от 10 до 100 А/мкс

◯ от 1 до 100 А/мкс

◯ от 1 до 10 А/мкс

◯ от 10 до 1000 А/мкс

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ p-n-переход

◯ униполярный транзистор

◯ биполярный транзистор

◯ n-p-переход

При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var

◯ период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const

◯ период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const

◯ период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ более высокое пробивное напряжение

▢ более высокое сопротивление открытого канала

▢ более низкое сопротивление открытого канала

▢ более низкое пробивное напряжение

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ равно нулю

◯ очень велико

◯ составляет единицы Ом

◯ составляет десятки Ом

При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ резко увеличивается

◯ резко уменьшается

◯ равна нулю

◯ увеличивается постепенно

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ стремится к бесконечности

◯ меньше нуля

◯ равно нулю

◯ имеет конечную величину

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ больше нуля

◯ меньше нуля

◯ стремится к бесконечности

◯ равно нулю

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности

◯ наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов

◯ изменение формы коммутируемых токов и напряжений

◯ наличие более высоких значений рассеиваемой мощности

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)

◯ через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)

◯ через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)

◯ на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ функционального назначения преобразовательных устройств

◯ конструкции преобразовательного устройства

◯ типа преобразовательных устройств

◯ элементной базы электронных ключей

Принципы построения ФИУ не зависят от

Пульсность выпрямителя

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

▢ обратно пропорциональна частоте пульсации

▢ прямо пропорциональна частоте питающего напряжения

▢ прямо пропорциональна частоте пульсации

▢ обратно пропорциональна частоте питающего напряжения

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ увеличивать параметр M и уменьшать параметр N

◯ одновременно увеличивать параметры M и N

◯ увеличивать параметр N и уменьшать параметр M

◯ одновременно уменьшать параметры M и N

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

◯ обратный шунтирующий диод

◯ резистор

◯ конденсатор

◯ стабилитрон